Mau share aja. siapa tahu bermanfaat buat yang belum tahu. . yang udah tahu jangan di ejek ye
berikut adalah istilah yang sering ditemui waktu tweaking memory and sering bikin bingung karena hampir mirip he he he
Timing utama dari memory :
• CAS (tCL) Timing: CAS (Column Address Strobe / Column Address Select)
Adalah pengontrol waktu putaran saat pengiriman data pembacaan perintah sampai pembacaan tersebut berlangsung. Waktu dari awal CAS ke akhir CAS biasa disebut waktu ‘latency’. Semakin rendah nilai ini, berarti proses semakin cepat dan performance semakin tinggi. Jadi CAS latency merupakan waktu penundaan dalam perputaran waktu antara pengiriman perintah pembacaan sampai data pembacaan pertama itu terkirim ke output. Bagian ini adalah bagian terpenting dan yang paling menentukan kecepatan akses memory.
Contoh : 4-4-4-12 angka “4 pertama” adalah CAS timing.
• tRCD Timing: RAS to CAS Delay
(Row Address Strobe/Select to Column Address Strobe/Select). Adalah waktu penundaan perintah yang aktif hingga siap untuk dilakukan proses pembacaan / penulisan.
Contoh : 4-4-4-12 angka “4 kedua” adalah tRCD timing.
• tRP Timing: Row Precharge Time.
Adalah waktu minimum yang digunakan antara perintah yang aktif ke proses pembacaan/penulisan data pada keping memori berikutnya pada memori module.
Contoh : 4-4-4-12 angka “4 ketiga” adalah tRP timing.
• tRAS Timing: Min RAS Active Time.
Adalah waktu pengaktifan dan penonaktifan perintah masing-masing baris memori sampai berakhirnya batas waktu tRAS yang ditetapkan. Semakin rendah, performanya semaki cepat, namun bila terlalu cepat data yang dipindahkan belum tentu terselesaikan semua, sehingga bisa mengakibatkan proses tidak sempurna dan data corrupt. Untuk penghitungan angka tRAS yang optimal adalah dengan menjumlahkan tCL, tRCD, dan tRP (tRAS = tCL + tRCD + tRP), dengan konfigurasi +/- 1 dari angka tersebut. (2.5+3+4 = 9.5) => jadi angka tRAS yang diambil 8, 9, atau 10.
Contoh : 4-4-4-12 angka “12” adalah tRAS timing.
•Command Rate (CR)
adalah waktu untuk dram melakukan satu kali intruksi baca tulis. Skala yang umum dipakai adalah 1-2. Ada pula mainboard tertentu yang memberikann skala 1-8. Semakin ketat CR memory semakin bagus, namun CR terlalu ketat dapat mengakibatkan ketidakstabilan system pada clock memory tinggi. Normal CR yang digunakan saat ini adalah 2T
Contoh : 4-4-4-12-2T angka 2T menunjukkan Command Rate.
Timing lainnya (biasanya ada pada MB High end)
• tWR - Write Recovery Time
tWR adalah putaran waktu yang diperlukan untuk proses penulisan data dengan persiapan data untuk perintah selanjutnya. tWR diperlukan untuk memastikan semua data di buffer penulisan dapat tertulis dengan aman dan sempurna di chip memori.
• tRAS - Row Active Time
tRAS adalah putaran waktu yang diperlukan untuk proses tampungan perintah aktif yang akan dilaksanakan (bank active command) ke masuknya perintah tersebut ke perintah yang akan siap dikerjakan (precharge command).
• tRC - Row Cycle Time
tRC adalah waktu interval minimal perintah aktif yang telah terlaksana pada keping / bank yang sama.
tRC = tRAS + tRP
• tRP - Row Precharge Time
tRP adalah putaran waktu yang diperlukan untuk proses perintah yang siap dilaksanakan (precharge command) ke perintah aktif (active command). Pada waktu ini keping/bank memori telah aktif.
• tRRD - Row Active to Row Active Delay
tRRD adalah interval minimal antara perintah yang telah aktif ke proses yang akan dieksekusi di keping/bank selanjutnya.
• tCCD - Column Address to Column Address Delay
tCCD adalah waktu tunda untuk pengaturan perintah pada masing-masing column address.
• tRD - Active to Read Delay
tRD adalah penundaan waktu yang diperlukan untuk proses perintah yang telah aktif ke perintah baca.
• tWTR - Internal Write to Read Command Delay
tWTR adalah waktu tunda untuk proses penulisan di keping memori ke proses perintah pembacaan data yang telah dituliskan tersebut.
• tRDA - Read Delay Adjust
tRDA adalah pengaturan waktu tunda untuk proses pembacaan data di memory.
0 komentar:
Posting Komentar